主要推廣的產品如下：

中央（yāng）除塵（集塵）設備、廢氣處理設備、打（dǎ）磨係（xì）統除塵（chén）設備、無（wú）塵噴漆房、烘幹房、烤漆（qī）房、高效除塵風機、智能電控係統（tǒng）、火花探測及熄滅係統。

1、吸收設備：

吸收法采用低揮發或不揮發性溶劑對（duì）VOCs進行（háng）吸收，再利用VOCs和吸（xī）收劑物理性質的差異進（jìn）行分離。

含VOCs的氣（qì）體自吸收塔底部（bù）進入（rù）塔內，在上升過程中與來自塔頂的吸收劑逆流（liú）接（jiē）觸（chù），淨化後的氣體由塔頂排出。吸收了（le）VOCs的（de）吸收劑通過熱交換器後，進入汽（qì）提塔頂部，在溫（wēn）度高於吸收溫（wēn）度或壓力低於吸收壓力的條件下解（jiě）吸。解吸後的吸收劑經過溶劑冷凝器冷凝後回到吸收塔。解吸出的VOCs氣體（tǐ）經過冷凝器、氣液（yè）分離器後以較純的VOCs氣體離開汽提塔，被回收利（lì）用。該工藝適合於VOCs濃度（dù）較高、溫度較低的氣體淨化，其他情況下需要作相應（yīng）的工藝調整。

2、吸附設備：

在用多孔性固體物質處理流體混合物時，流體中的某一組分（fèn）或某些組分可（kě）被吸表麵並濃集其上，此現象稱為吸附。吸附處（chù）理廢氣（qì）時，吸附（fù）的對象是氣態（tài）汙染物，氣固吸附。被（bèi）吸附的氣體組分稱為吸（xī）附質，多孔固（gù）體物質稱為（wéi）吸（xī）附劑。

固體表麵吸附了吸附質（zhì）後，一（yī）部被吸附的吸附（fù）質可從吸附（fù）劑表麵脫離，此現附。而當吸附進行一段時間後，由於表麵吸附質的濃集（jí），使其吸附能力明顯下降而吸附淨化的要求，此時需（xū）要采用一定的措施使吸附劑上已吸附的吸附質脫附，以協的吸附（fù）能力，這個過程（chéng）稱為吸附劑的（de）再生。因此在實（shí）際吸附工程中，正是利用吸附一再（zài）生一再吸附的循環過程，達到除去廢氣中汙染物質並回收廢氣中有用組分。

3、淨化設（shè）備：

燃燒法用於處理高濃度Voc與有（yǒu）惡臭的化合物很有效，其（qí）原理是用過量的空氣使這些雜（zá）質燃燒（shāo），大多數生成二氧（yǎng）化碳和水蒸氣，可以排放到大氣中。但當處理含氯（lǜ）和含硫的有機（jī）化（huà）合物時，燃燒生成產物中HCl或SO2，需要對燃（rán）燒後氣（qì）體進一步處理。

4、治理設（shè）備：

等離（lí）子體就是處於電離狀態的氣體，其英文名稱是plasma，它是（shì）由美國科學 muir，於1927年（nián）在研究低氣壓下（xià）汞蒸氣中（zhōng）放電現象時命名（míng）的。等離子體由大量的（de）子、中性原子、激發態原子、光子和（hé）自由基等組成，但電子和正離子的（de）電荷數必須體表現出電中性，這就是“等離子體”的含義。等離（lí）子體具有導電和受電磁影響的許多方（fāng）麵（miàn）與固（gù）體、液體和氣體不同（tóng），因此又有人把它稱為物質的第四種狀態。根（gēn）據狀態、溫度和離子密度，等離子體通常可（kě）以分為高溫等離子體和低（dī）溫等離子體（包子體和冷等離（lí）子體）。其中高溫等（děng）離子體的電（diàn）離度接近1，各種粒子溫度幾（jǐ）乎相同係處於熱力學平衡狀態，它主要（yào）應用在受控熱核反應研究方麵。而低溫等離子體（tǐ）則學非平衡狀態，各種（zhǒng）粒子溫（wēn）度並不相同。其中（zhōng）電子溫度( Te)≥離子溫度(Ti)，可達104K以上，而其離子和中性粒子的溫度卻可低到300～500K。一般氣（qì）體放電子體屬於低溫等離子體。

截至2013年，對低溫等離子體的作用機理研究認為是粒子（zǐ）非彈性碰撞的結果（guǒ）。低溫等離富含（hán）電子、離子、自由基和激發態分子，其中高能電子（zǐ）與氣體分（fèn）子（原子）發生撞，將能量轉換成基態分子（原子）的內能，發生激發、離解和電離等一（yī）係列過秸處於（yú）活化狀態。一方麵打開了氣體分（fèn）子鍵，生成一些單分子和固（gù）體微粒；另一力（lì）生．OH、H2O2．等自由基和氧（yǎng）化性極（jí）強的O3，在這一（yī）過程中高能電子起決（jué）定性作用，離子（zǐ）的熱運動隻有（yǒu）副作用。常壓下，氣體（tǐ）放電產生的高度非平衡等離子體中（zhōng）電（diàn）子溫層氏度）遠高於氣體溫（wēn）度（dù）（室溫100℃左右）。在非平衡等離子體（tǐ）中可能發生（shēng）各（gè）種（zhǒng）類型的化學反應，主要決定於電子的平均能量、電子密度、氣體溫度、有害氣體分子濃（nóng）度和≥氣體成（chéng）分。這為一些需要很大活化能的反應如大氣中難降解汙染（rǎn）物（wù）的去除提供了另（lìng）外也可以對低濃度、高流速、大風量的含揮發性（xìng）有機汙染物和（hé）含硫類汙染物等進行處（chù）理。

常見的產生等離（lí）子體的方法是氣體放電，所謂（wèi）氣體放電是指（zhǐ）通過（guò）某種機（jī）製使一電子從氣體原子或（huò）分子中（zhōng）電離出來，形（xíng）成的氣體媒質稱為電離氣體，如果電離氣由外電場產生並形成傳導（dǎo）電流，這種現象（xiàng）稱（chēng）為氣體放（fàng）電。根據放電產生的機理（lǐ）、氣體的壓j源性質以及電極的幾何形狀、氣體放電等離子體主要分為以下幾種形（xíng）式：①輝光（guāng）放電；③介質阻擋放電（diàn）；④射頻放電；⑤微波放電。無論哪一種形式產生的等離子體，都需要高壓放電。容易打火產生危險。由於對諸如氣態汙染物的治理，一般要求在常壓（yā）下進行。

4、光催化和（hé）生物淨化設（shè）備：

光催化是常溫深度反應技術。光催化氧化（huà）可在室溫下將水、空氣和土（tǔ）壤中有機汙染物完全氧化成無毒無害的產物，而傳統的高溫焚燒技術則需要在極高的溫度下才可將汙染（rǎn）物摧毀（huǐ），即使用常規的催化、氧化方（fāng）法（fǎ）亦（yì）需要幾百度的高溫。

從理論上講，隻要半導（dǎo）體吸收的光能不小於其帶隙能，就足以激發產生電子和空穴，該（gāi）半導體就有可能用作光催化劑。常見的單一化合物光催化劑多為金屬氧（yǎng）化物（wù）或硫化物，如 Ti0、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對特定反應有（yǒu）突出優點（diǎn），具體研究中可根據需要選用，如CdS半導體帶隙（xì）能較小，跟太陽光譜中的近紫外光段有較（jiào）好（hǎo）的匹配性能，可以很好地利用（yòng）自然光能，但它容易發生光腐蝕，使用壽命有限。相對而言，Ti02的綜合性能較好，是最廣泛使用和研（yán）究的（de）單一化（huà）合物光催化劑。